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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2015 [1]
2013 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
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内容类型:期刊论文
学科主题:半导体材料
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Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes
期刊论文
phys. status solidi a, 2015, 卷号: 212, 期号: 5, 页码: 1158-1161
He Kang
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Cuimei Wang
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Hong Chen
;
Haibo Yin
;
Shenqi Qu
;
Enchao Peng
;
Jiamin Gong
;
Xiaoliang Wang
;
Baiquan Li
;
Zhanguo Wang
;
Xun Hou
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2016/03/29
Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures The effects of buffer acceptor and channel width
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 15, 页码: 4507
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Shenqi Qu, He Kang, Xun Hou and Zhanguo Wang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/03/18
Investigation of the current collapse induced in InGaN back barrier AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
journal of semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 104002
Xiaojia, Wan
;
Xiaoliang, Wang
;
Hongling, Xiao
;
Chun, Feng
;
Lijuan, Jiang
;
Shenqi, Qu
;
Zhanguo, Wang
;
Xun, Hou
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/05/16
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