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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2007 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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学科主题:半导体材料
发表日期:2007
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Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708
Ma ZY (Ma Zhi-Yong)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Luo WJ (Luo Wei-Jun)
;
Tang J (Tang Jian)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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提交时间:2010/03/29
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