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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 625, 页码: 266–270 W. Liu; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; Z.S. Liu; J.J. Zhu; M. Shi; D.M. Zhao; X. Li; J.P. Liu; S.M. Zhang; H. Wang; H. Yang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/03/23 Differential resistance of GaN-based laser diodes with and without polarization effect 期刊论文 applied optics, 2015, 卷号: 54, 期号: 29, 页码: 8706-8711 X. LI; Z. S. LIU; D. G. ZHAO; D. S. JIANG; P. CHEN; J. J. ZHU; J. YANG; L. C. LE; W. LIU; X. G. HE; X. J. LI; F. LIANG; L. Q. ZHANG; J. Q. LIU; H. YANG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/03/23 Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935 W. Liu; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; M. Shi; D. M.Zhao; X. Li; J. P. Liu; S. M. Zhang; H. Wang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T.Du 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/03/23 A modified structure with asymmetric and doping barrier interlayers of GaAs-based laser diodes with both small vertical divergence angle and low threshold 期刊论文 superlattices and microstructures, 2015, 卷号: 80, 期号: 2015, 页码: 111–117 X. Li; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; Z.S. Liu; M. Shi; D.M. Zhao; W. Liu; J.J. Zhu; S.M. Zhang; H. Yang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/03/23 The difference in efficiency droop behaviors of two InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes with modified structural parameters 期刊论文 superlattices and microstructures, 2015, 卷号: 88, 页码: 50-55 W. Liu; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; Z.S. Liu; J.J. Zhu; X. Li; F. Liang; J.P. Liu; S.M. Zhang; H. Yang; Y.T. Zhang; G.T. Du 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/03/23