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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：兰州理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Lattice disorder produced in GaN by He-ion implantation 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 543-547 作者:  Han, Yi;  Peng, Jinxin;  Li, Bingsheng;  Wang, Zhiguang;  Wei, Kongfang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/15 He-ion implantation  GaN  Microstructure  Lattice disorder  Lattice strain