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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films 期刊论文 journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 16, 页码: 163704 Yang, J; Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Yang, H; Chen, P; Liu, ZS; Le, LC; Li, XJ; He, XG; Liu, JP; Zhang, SM; Wang, H 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/04/02 Suppression of electron leakage by inserting a thin undoped InGaN layer prior to electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes 期刊论文 optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 11392-11398 Le, LC; Zhao, DG; Jiang, DS; Yang, H; Chen, P; Liu, ZS; Yang, J; He, XG; Li, XJ; Liu, JP; Zhu, JJ; Zhang, SM 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/03/25 Performance comparison of front- and back-illuminated modes of the AlGaN-based p-i-n solar-blind ultraviolet photodetectors 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2014, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 031204 Li, XJ; Zhao, DG; Jiang, DS; Liu, ZS; Chen, P; Le, LC; Yang, J; He, XG; Zhang, SM; Zhu, JJ; Wang, H; Zhang, BS; Liu, JP; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/04/02 Characteristics of InGaN-based superluminescent diodes with one-sided oblique cavity facet 期刊论文 chinese science bulletin, 2014, 卷号: 59, 期号: 16, 页码: 1903-1906 Zeng, C; Zhang, SM; Liu, JP; Li, DY; Jiang, DS; Feng, MX; Li, ZC; Zhou, K; Wang, F; Wang, HB; Wang, H; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/03/25