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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Uncooled eusbte3 photodetector highly sensitive from ultraviolet to terahertz frequencies 期刊论文 2d materials, 2017, 卷号: 5, 期号: 1 作者:  Niu,Ying Y;  Wu,Dong;  Su,Yu Q;  Zhu,Hai;  Wang,Biao 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2019/05/09 Photodetector  Photosensitive material  Ultrabroadband photodetection  Terahertz detection  Polytelluride   Growth of In2O3 single-crystalline film on sapphire (0001) substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 686 Mei, ZX; Wang, Y; Du, XL; Zeng, ZQ; Ying, MJ; Zheng, H; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/17 INDIUM-TIN-OXIDE  STABILIZED ZIRCONIA  OPTICAL-PROPERTIES  OHMIC CONTACT  ELECTRODE  GAN  DEPOSITION  DEVICES  MGO   Controlled growth of Zn-polar ZnO epitaxial film by nitridation of sapphire substrate 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 11 Mei, ZX; Du, XL; Wang, Y; Ying, MJ; Zeng, ZQ; Zheng, H; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-N-JUNCTIONS  THIN-FILMS  ELECTRONIC-STRUCTURE  FABRICATION  HETEROJUNCTION  SURFACE  RECONSTRUCTIONS   Effect of sapphire substrate nitridation on the elimination of rotation domains in ZnO epitaxial films 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 37, 期号: 21, 页码: 3058 Ying, MJ; Du, XL; Mei, ZX; Zeng, ZQ; Zheng, H; Wang, Y; Jia, JF; Zhang, Z; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 ALPHA-AL2O3(0001) SURFACE  BUFFER LAYER  GROWTH  GAN  TERMINATION   Controlled growth of O-polar ZnO epitaxial film by oxygen radical preconditioning of sapphire substrate 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 12, 页码: 7108 Mei, ZX; Wang, Y; Du, XL; Ying, MJ; Zeng, ZQ; Zheng, H; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 THIN-FILMS  ELECTRONIC-STRUCTURE  SURFACE  NITRIDATION  GAN  LAYERS