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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Three Subband Occupation of the Two‐Dimensional Electron Gas in Ultrathin Barrier AlN/GaN Heterostructures 期刊论文 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 卷号: 30, 期号: 46, 页码: 2004450 作者:  Liuyun Yang;   Xinqiang Wang;   Tao Wang;   Jingyue Wang;   Wenjie Zhang;   Patrick Quach;  Ping Wang;   Fang Liu;   Duo Li;   Ling Chen;   Shangfeng Liu;   Jiaqi Wei;   Xuelin Yang;  Fujun Xu;   Ning Tang;   Wei Tan;   Jian Zhang;   Weikun Ge;   Xiaosong Wu;   Chi Zhang;   Bo Shen 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/05/25