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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2006 [3]
2004 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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Evolution of the amount of inas in wetting layers in an inas/gaas quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2207-2211
作者:
Chen, YH
;
Jin, P
;
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Wang, ZG
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B
;
Shen H
;
Liang ZC
;
Chen Z
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2010/04/11
chemical vapour deposition
electrical properties and measurements
scanning electron microscopy
polycrystalline silicon
GRAIN-BOUNDARIES
STATES
Evolution of the amount of InAs in wetting layers in an InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2207-2211
作者:
Jin P
;
Ye XL
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浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
ANISOTROPY SPECTROSCOPY
GROWTH
GAAS
SURFACES
ALAS
Preparation and characterization of Si sheets by renewed SSP technique
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 446-454
Ai B
;
Shen H
;
Ban Q
;
Wang XJ
;
Liang ZC
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:224/46
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提交时间:2010/03/09
crystal structure
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