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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure 期刊论文 Electronics, 2019, 卷号: 8, 页码: 241 作者:  Huolin Huang ;   Feiyu Li ;   Zhonghao Sun ;   Nan Sun ;   Feng Zhang ;   Yaqing Cao ;  Hui Zhang Pengcheng Tao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/07/30