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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions 外文期刊 2009 作者:  Zuo, QY;  Liu, Q;  Long, SB;  Wang, W;  Zhang, S 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Doped Zro2  Low-power  Memory  Oxide   Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2:Cu/Pt device 外文期刊 2009 作者:  Chen, JN;  Zhang, MH;  Dou, CM;  Wang, Y;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Application   Comparison of discrete-storage nonvolatile memories: advantage of hybrid method for fabrication of Au nanocrystal nonvolatile memory 外文期刊 2008 作者:  Wang, Q;  Jia, R;  Guan, W;  Li, W;  Liu, Q 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 Metal   Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random access memory 外文期刊 2008 作者:  Zhao, FZ;  Liu, MX;  Guo, TL;  Liu, G;  Hai, CH 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Transient Radiation Upset  Cmos/sos Ram  Device  Environment