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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2017 [1]
2011 [1]
2009 [2]
2006 [2]
2003 [1]
学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Rediscovering MP15 Family (M = Li; Na; and K) as an Anisotropic Layered Semiconducting Material
期刊论文
The Journal of Physical Chemistry Letters, 2017, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 732–738
作者:
Yanhan Yang
;
Nan Tian
;
Yongzhe Zhang
;
Danmin Liu
;
Dong Zhang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/05/30
Anisotropic in-plane spin splitting in an asymmetric (001) GaAs/AlGaAs quantum well
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 520
Ye, HQ
;
Hu, CC
;
Wang, G
;
Zhao, HM
;
Tian, HT
;
Zhang, XW
;
Wang, WX
;
Liu, BL
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
quantum beats
spin-orbit coupling
magnetic properties of nanostructures
optical creation of spin polarized
ELECTRON G-FACTOR
LANDE G-FACTOR
SUPERLATTICES
SPINTRONICS
BEATS
GAAS
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:130/35
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提交时间:2010/03/08
GaN
Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:137/40
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提交时间:2010/03/08
GaN
Experimental investigation of intracavity absorber low temperature GaAs in diode-pumped Nd : GdVO4 laser
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers brief communications & review papers, 2006, 卷号: 45, 期号: 8a, 页码: 6268-6270
Liu J (Liu Jie)
;
Wang CX (Wang Chunxing)
;
Tian WM (Tian Wenmiao)
;
Liu SH (Liu Shihua)
;
Wang GG (Wang Guanggang)
;
Wang YG (Wang Yonggang)
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/04/11
LT-GaAs
Nd : GdVO4
Q-switched
mode-locked
PASSIVE-MODE-LOCKING
LOCKED ND-YVO4 LASER
SATURABLE ABSORBER
CR4+-YAG
MIRROR
CAVITY
Comparison between two kinds of semiconductor absorbers for mode-locking in Nd : YVO4 laser
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 616-618
Wang CL
;
Wang YG
;
Ma XY
;
Liu Y
;
Sun LQ
;
Tian Q
;
Zang ZG
;
Wang QY
收藏
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/04/11
SATURABLE ABSORBER
MIRROR
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
期刊论文
journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s713-s718
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Wang X
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/12
SOI
nanostructure
microelectronic materials
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