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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 41208 Wang J; Han Q; Yang XH; Wang XP; Ni HQ; He JF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/02/06 HYDROGEN-PEROXIDE SOLUTIONS  III-V SEMICONDUCTORS  PSEUDOMORPHIC MODFETS  GAAS  FABRICATION  TRANSISTOR  ALGAAS   Single-mode holey vertical-cavity surface-emitting laser with ultra-narrow beam divergence 期刊论文 laser physics letters, 2010, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 213-217 作者:  Jiang B 收藏  |  浏览/下载：271/50  |  提交时间：2010/04/22 divergence angle  graded index profile  low index step  single mode  vertical-cavity surface-emitting laser  WAVE-GUIDE  POWER  VCSELS  INDEX  DEPTH   Improvement of GaN-based light emitting diodes performance grown on sapphire substrates patterned by wet etching - art. no. 684107 会议论文 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP; Wang, GH; Yang, FH 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/09 pyramidal patterned substrate  InGaN/GaN  light-emitting diode  wet etching   Fabrication of InGaAlAs MQW buried heterostructure lasers by narrow stripe selective MOVPE 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 361-365 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/29 BANDGAP ENERGY CONTROL   Selective growth of absorptive InGaAsP layer on InP corrugation for a buried grating structure 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1, 页码: art.no.011117 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/29 VAPOR-PHASE EPITAXY