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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP
收藏  |  浏览/下载：65/25  |  提交时间：2010/03/08
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P
收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12
Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368
Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH
收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12
Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12
Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137
Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12

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