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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Origin of insulating behavior of the p-type LaAlO3/SrTiO3 interface: Polarization-induced asymmetric distribution of oxygen vacancies 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125412 Zhang LX (Zhang Lixin); Zhou XF (Zhou Xiang-Feng); Wang HT (Wang Hui-Tian); Xu JJ (Xu Jing-Jun); Li JB (Li Jingbo); Wang EG (Wang E. G.); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/11 INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  ELECTRON GASES  HETEROSTRUCTURES  TRANSITION   First-principle study of extrinsic defects in CuScO2 and CuYO2 期刊论文 physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 21, 页码: 3759-3762 Fang, ZJ; Shi, LJ 收藏  |  浏览/下载：61/7  |  提交时间：2010/03/08 CuMO2  doping  VASP   Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 8, 页码: art.no.081201 Li J (Li Jingbo); Wei SH (Wei Su-Huai); Li SS (Li Shu-Shen); Xia JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  WAVE BASIS-SET  II-VI  ROOM-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  FABRICATION  DEFECTS  DEVICES   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS