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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：Chemistry, Physical     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Mechanism for an enhanced resistive switching effect of bilayer NiOx/TiO2 for resistive random access memory 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 722, 页码: 753-759 作者:  Zhou,Guangdong;  Xiao,Lihua;  Zhang,Shuangju;  Wu,Bo;  Liu,Xiaoqin 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/10/23 Electric-field  Devices  Bipolar  Films  Heterostructures  Transition  Behaviors  Filament  Matrix  Cells  Bilay Niox/tio2 Films  Resistive Switching Memory  Migration Of Oxygen Vacancy  Ag Conduction Filamens