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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Microstructural and mechanical characteristics of laser welding of Ti6Al4V and lead metal 期刊论文 journal of materials processing technology, 2012, 卷号: 212, 期号: 7, 页码: 1520-1527 Zhao, SS; Yu, G; He, XL; Hu, YW 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/02/05 Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2D InP-based photonic crystals 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2009, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1093-1096 Wang HL; Xing MX; Ren G; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors  indium compounds  photonic crystals  plasma materials processing  semiconductor lasers  sputter etching   Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 Wang JF (Wang Jian-Feng); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Zhang JC (Zhang Ji-Cai); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Wang YT (Wang Yu-Tian); Chen J (Chen Jun); Liu W (Liu Wei); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yao DZ (Yao Duan-Zheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  ALN BUFFER LAYER  NUCLEATION LAYER  PHASE EPITAXY  EVOLUTION  DENSITY  SILICON  STRESS  SI