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科研机构
半导体研究所 [88]
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期刊论文 [78]
会议论文 [10]
发表日期
2011 [4]
2010 [2]
2009 [2]
2008 [3]
2007 [7]
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学科主题
半导体材料 [88]
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学科主题:半导体材料
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:63/4
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI(001) SUBSTRATE
STRAIN
EPITAXY
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
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浏览/下载:93/5
  |  
提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102
作者:
Pan X
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:83/7
  |  
提交时间:2011/07/05
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
AL-CONTENT
STRESS-CONTROL
PHASE EPITAXY
ALGAN
BUFFER
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
INTERLAYERS
SILICON
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Controlled growth of silicon nanowires by solid-liquid-solid method and their formation mechanism
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 2, 页码: 1169-1174
Peng YC (Peng Ying-Cai)
;
Fan ZD (Fan Zhi-Dong)
;
Bai ZH (Bai Zhen-Hua)
;
Ma L (Ma Lei)
收藏
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浏览/下载:140/29
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提交时间:2010/04/21
silicon nanowires
Au-Si liquid droplet alloys
solid-liquid-solid growth
structural characteristics
SI NANOWIRES
NI CATALYSTS
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates
期刊论文
applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668
Gao HY
;
Yan FW
;
Zhang Y
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Wang JX
收藏
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浏览/下载:164/24
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提交时间:2010/03/08
GaN
Nonpolar
MOCVD
Nano-patterned
A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066
Fan, HB
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:80/3
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
NANORODS
FILMS
Influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer on Si(111) by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713
Luo WJ
;
Wang XL
;
Guo LC
;
Mao HL
;
Wang CM
;
Ran JX
;
Li JP
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:191/53
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提交时间:2010/03/08
GaN
Si(111)
Crack
AlN
MOCVD
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