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科研机构
半导体研究所 [18]
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期刊论文 [16]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2004 [3]
2003 [1]
2002 [1]
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学科主题
半导体物理 [18]
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学科主题:半导体物理
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First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:32/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Easy axis reorientation and magneto-crystalline anisotropic resistance of tensile strained (Ga,Mn)As films
期刊论文
journal of magnetism and magnetic materials, 2010, 卷号: 322, 期号: 21, 页码: 3250-3254
Chen L (Chen L.)
;
Yan S (Yan S.)
;
Xu PF (Xu P. F.)
;
Lu J (Lu J.)
;
Deng JJ (Deng J. J.)
;
Ji Y (Ji Y.)
;
Wang KY (Wang K. Y.)
;
Zhao JH (Zhao J. H.)
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浏览/下载:89/4
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提交时间:2010/09/07
Magnetic semiconductor
Magnetic anisotropy
Magneto-transport phenomenon
Molecular-beam epitaxy
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
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浏览/下载:92/14
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提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Electronic states of InAs verfically-assembled quantum disks in magnetic fields and two-electron quantum-disk qubit
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Dong, QR
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:193/59
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提交时间:2010/03/29
DOTS
Role of interactions in electronic structure of a two-electron quantum dot molecule
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2496-2499
Dong, QR
;
Xu, YQ
;
Zhang, SY
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/03/17
SYSTEMS
Electronic structure of self-assembled InAs quantum disks in an axial magnetic field and two-electron quantum-disk qubit
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 6, 页码: 3277-3281
Dong, QR
;
Li, SS
;
Niu, ZC
;
Feng, SL
;
Zheng, HZ
收藏
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浏览/下载:392/260
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提交时间:2010/03/09
DOT SYSTEMS
Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553
Munoz M
;
Huang YS
;
Pollak FH
;
Yang H
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HEXAGONAL GAN
TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
TRANSITIONS
GROWTH
GAIN
ALN
ELLIPSOMETRY
WURTZITE
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 20, 页码: 3795-3797
Luo XD
;
Hu CY
;
Xu ZY
;
Luo HL
;
Wang YQ
;
Wang JN
;
Ge WK
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
BAND ALIGNMENT
GAAS
DOTS
LASERS
OPERATION
OFFSETS
Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 4, 页码: 478-479
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Zhang M
;
Wang YS
;
Bai XW
;
Zhao J
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
FLOATING-ZONE GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
SILICON
GE
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