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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2005 [2]
2002 [2]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/09
INDUCED REFRACTIVE-INDEX
GROWTH
LASERS
GAAS
An Electroabsorption Modulator Monolithically Integrated with a Semiconductor Optical Amplifier and a Dual-Waveguide Spot-Size Converter
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1504-1508
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/03/17
stress
A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
quantum dots
strain
molecular beam epitaxy
superluminescent diodes
1.3 MU-M
HIGH-POWER
INTEGRATED ABSORBER
INAS ISLANDS
SPECTRUM
WINDOW
LAYER
SIZE
Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522
Wei X
;
Wang GH
;
Zhang GZ
;
Zhu XP
;
Ma XY
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:81/2
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提交时间:2010/08/12
high resolution X-ray diffraction
precursor
metalorganic chemical vapor depositions
gallium compounds
LASER-DIODES
SOLAR-CELLS
BAND-GAP
GAINNAS
DIMETHYLHYDRAZINE
GROWTH
PYROLYSIS
EPITAXY
Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630
Wang HM
;
Zeng YP
;
Zhou HW
;
Kong MY
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HALL ELEMENTS
GAAS
MISORIENTATION
DISTORTION
LAYERS
MBE
SI
HETEROSTRUCTURES
GROWTH
Asymmetric dark current in double barrier quantum well infrared photodetectors
会议论文
conference on infrared spaceborne remote sensing vi, san diego, ca, jul 22-24, 1998
Zhuang QD
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/10/29
dark current
quantum well
infrared
photodetector
MU-M
PERFORMANCE
DETECTORS
ARRAY
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