中国开放科研知识云: 检索

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METHOD and arrangment for reducing contact resistance of two-dimensional cyrstal material 专利
专利号: US10141408, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2014-12-31
作者: Jia KP(贾昆鹏); Su YJ(粟雅娟); Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超)

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一种金属硅化物的形成方法 专利
专利号: US10096691, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2016-09-15
作者: 张青竹; 赵利川; 杨雄坤; 殷华湘; 闫江

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半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05
作者: 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博; 周华杰; 梁擎擎

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双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US9384986, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2013-10-31
作者: 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏

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