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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 11 作者:  Wan, Da;  Abliz, Ablat;  Su, Meng;  Liu, Chuangsheng;  Jiang, Changzhong 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05 Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)  indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)  thin-film transistors (TFTs)  low-frequency noise (LFN)  1/f noise model