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科研机构
北京大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2007 [1]
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Scalability and reliability characteristics of CVD HfO2 gate dielectrics with HfN electrodes for advanced CMOS applications
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2007
Kang, J. F.
;
Yu, H. Y.
;
Ren, C.
;
Sa, N.
;
Yang, H.
;
Li, M.F.
;
Chan, D. S. H.
;
Liu, X. Y.
;
Han, R. Q.
;
Kwong, D.L.
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提交时间:2015/11/13
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