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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman scattering and photoluminescence studies of Er-implanted and Er+ O coimplanted GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4930-4934 Song SF; Chen WD; Zhang CG; Bian LF; Hsu CC; Ma BS; Li GH; Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：151/36  |  提交时间：2010/03/09 DOPED GAN   Electrical properties of gan deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using nh3 cracked on the growing surface 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 页码: 429-432 作者:  Zhang, JP;  Sun, DZ;  Li, XB;  Wang, XL;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hydrogen contaminant  Gsmbe  Raman spectrum   Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 STRESS  GROWTH   Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 429-432 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  hydrogen contaminant  GSMBE  Raman spectrum  GROWTH  STRESS