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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804 Lu GJ (Lu Guo-Jun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：110/2  |  提交时间：2010/04/22 metalorganic chemical vapor deposition  Al1-xInxN  gradual variation in composition  optical reflectance spectra  X-RAY-DIFFRACTION  PHASE EPITAXY  RELAXATION  FILMS  HETEROSTRUCTURES  SEPARATION  DYNAMICS  ALLOYS  REGION  LAYERS   Effects of AlGaN layer parameter on ultraviolet response of n(+)-GaN/i-AlxGa1 (-) N-x/n(+)-GaN structure ultraviolet-infrared photodetector 期刊论文 acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909 作者:  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhao DG;  Deng Y;  Wu LL 收藏  |  浏览/下载：54/2  |  提交时间：2011/07/05 GaN  ultraviolet and infrared photodetector  quantum efficiency  SOLAR-BLIND   The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers 期刊论文 materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696 Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN  LT AlN  TAXRD  dislocation   The influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 24-29 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：56/32  |  提交时间：2010/03/09 buffer layer