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Device for providing electromagnetic radiation 专利
专利号: US9903541, 申请日期: 2018-02-27, 公开日期: 2018-02-27
作者:  BICHLER, DANIEL;  FIEDLER, TIM
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InGaN diode-laser pumped II-VI semiconductor lasers 专利
专利号: US7136408, 申请日期: 2006-11-14, 公开日期: 2006-11-14
作者:  SPINELLI, LUIS A.;  ZHOU, HAILONG;  AUSTIN, R. RUSSEL
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Method for making low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays 专利
专利号: US5028563, 申请日期: 1991-07-02, 公开日期: 1991-07-02
作者:  FEIT, ZEEV;  KOSTYK, DOUGLAS;  WOODS, ROBERT J.
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Low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays 专利
专利号: US4943971, 申请日期: 1990-07-24, 公开日期: 1990-07-24
作者:  FIET, ZEEV;  KOSTYK, DOUGLAS;  WOODS, ROBERT J.
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989312882A, 申请日期: 1989-12-18, 公开日期: 1989-12-18
作者:  SUGAO SHIGEO
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Lead-strontium-chalcogenide diode laser 专利
专利号: US4722087, 申请日期: 1988-01-26, 公开日期: 1988-01-26
作者:  PARTIN, DALE L.
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Lead-alloy-telluride heterojunction semiconductor laser 专利
专利号: US4612644, 申请日期: 1986-09-16, 公开日期: 1986-09-16
作者:  PARTIN, DALE L.
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Iii-v arsenide nitride semiconductor substrate 专利
专利号: WO2003009344A2, 公开日期: 2003-01-30
作者:  RAMDANI, JAMAL;  HILT, LYNDEE, L.
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