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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Epitaxial growth and quantum well states study of Sn thin films on Sn induced Si(111)-(2 root 3x2 root 3) R30 degrees surface 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2008, 卷号: 77, 期号: 20 Wang, LL; Ma, XC; Ji, SH; Fu, YS; Shen, QT; Jia, JF; Kelly, KF; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 Macroscopic quantum coherence in charge density wave whisker NbSe3 under strain 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2000, 卷号: 12, 期号: 26, 页码: 5745 Zheng, P; Chen, ZJ; Jiang, Q; Jin, D 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/18 RHEED characterization of InAs/GaAs grown by MBE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 364 Cai, LC; Chen, H; Bao, CL; Huan, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION  STRAIN RELAXATION  GAAS  SURFACE  INGAAS  INAS  INXGA1-XAS  (001)GAAS   Self-formed InGaAs/GaAs quantum dot superlattice and direct observation on strain distribution in the capped superlattice 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 70, 期号: 18, 页码: 2440 Pan, D; Zeng, YP; Wu, J; Wang, HM; Chang, CH; Li, JM; Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 EPITAXIAL MULTILAYERS  GROWTH  INXGA1-XAS  DISLOCATIONS  STABILITY  DEFECTS  FILMS