×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海微系统与信息技... [21]
内容类型
期刊论文 [21]
发表日期
2012 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2007 [1]
2006 [2]
2005 [1]
更多...
学科主题
Physics, A... [3]
Physics, M... [3]
Chemistry,... [2]
Electroche... [1]
Engineerin... [1]
Engineerin... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共21条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:上海微系统与信息技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M
;
Zhang, ZX
;
Wei, X
;
Bi, DW
;
Zou, SC
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2013/04/17
Silicon dioxide
Ion implantation
Total ionizing dose
Carrier transportation
Surface modification of ceria nanoparticles and their chemical mechanical polishing behavior on glass substrate
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 卷号: 256, 期号: 12, 页码: 3856-3861
Zhang, ZF
;
Yu, L
;
Liu, WL
;
Song, ZT
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2012/03/24
CEO2 NANOPARTICLES
ABRASIVE PARTICLES
PERFORMANCE
SILICA
SLURRY
OXIDE
Mechanism of selective Si3N4 etching over SiO2 in hydrogen-containing fluorocarbon plasma
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2009, 卷号: 86, 期号: 11, 页码: 2354-2357
Chen, LL
;
Xu, LD
;
Li, DX
;
Lin, B
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2012/03/24
SILICON-NITRIDE
OXIDE
DIOXIDE
REACTOR
RATES
CHF3
Control of the epitaxial orientation and reduction of the interface leakage current in YMnO3/GaN heterostructures
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 18, 页码: 185302-185302
Wu, H
;
Yuan, J
;
Peng, T
;
Pan, Y
;
Han, T
;
Shen, K
;
Zhao, BR
;
Liu, C
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/03/24
NONVOLATILE MEMORY DEVICES
THIN-FILMS
PLATINUM-ELECTRODES
GROWTH
DEPOSITION
SI
CANDIDATE
OXIDES
FIELD
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried oxides by silicon ion implantation
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2007, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 388-390
He, W
;
Zhang, ZX
;
Zhang, EX
;
Qian, C
;
Tian, H
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2012/03/24
A study on the total-dose response for modified silicon-on-insulator materials with the pseudo-MOS method
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 287-290
Zhang, EX
;
Sun, JY
;
Zhang, ZX
;
Qian, C
;
Jiang, J
;
Wang, X
;
En, YF
;
Luo, HW
;
Shi, Q
;
Zhang, XW
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/03/24
SIMOX BURIED OXIDES
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
OXYGEN IMPLANT
DEFECTS
A-SIO2
Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 792-797
Zhang, EX
;
Qian, C
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/03/24
IMPLANTING NITROGEN
RADIATION RESPONSE
THERMAL OXIDES
SIMOX
CHARGE
ELECTRON
OXYGEN
HOLE
TRANSISTORS
TECHNOLOGY
Characterization of cubic phase MgZnO/Si(100) interfaces
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2005, 卷号: 252, 期号: 4, 页码: 1147-1152
Liang, J
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Chen, NB
;
Yu, P
;
Xu, TN
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2012/03/24
TEMPERATURE
SILICON
CHANNEL
OXIDES
FILMS
Silicon-on-insulating multi-layers for total-dose irradiation hardness
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1600-1603
Zhang, EX
;
Yi, WB
;
Liu, XH
;
Chen, M
;
Liu, ZL
;
Xi, W
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/03/24
IMPLANTATION
OXIDES
SIMOX
Cu gettering to nanovoids in SOI materials
期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2003, 卷号: 46, 期号: 1, 页码: 60-70
Zhang, M
;
Wu, YJ
;
Liu, WL
;
An, ZH
;
Lin, CL
;
Chu, PK
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/03/24
SILICON-OXIDES
CAVITIES
METALS
IMPLANTATION
BREAKDOWN
COPPER
VOIDS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace