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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Violet/blue photoluminescence from CeO2 thin film 期刊论文 chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1198-1200 Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Liao MY; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：253/3  |  提交时间：2010/08/12 cerium dioxide thin film  PL  violet/blue  CERIUM OXIDE  DEPOSITION  INTERFACE  EMISSION  SILICON  GROWTH   The PL "violet shift" of cerium dioxide on silicon 期刊论文 chinese science bulletin, 2001, 卷号: 46, 期号: 24, 页码: 2046-2048 Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Liao MY; Chen NF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：96/8  |  提交时间：2010/08/12 cerium dioxide thin film  PL violet shift  THIN-FILMS  DEPOSITION  CEO2  INTERFACE  OXIDES  GROWTH   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 Liu JP; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  DEPOSITION   STUDY ON PREPARATION OF GAN AND COSI2 EPITAXIAL-FILMS BY MASS ANALYZED LOW-ENERGY DUAL ION-BEAM EPITAXY 期刊论文 vacuum, 1992, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1059-1060 YAO ZY; QIN FG; REN ZZ; WANG XM; LIU ZK; HUANG DD; LIN LY; LAU WM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 DEPOSITION  SYSTEM  GROWTH  C+