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厦门大学 [38]
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2014 [5]
2013 [6]
2012 [6]
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2010 [2]
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Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用研究
学位论文
2016, 2016
赖淑妹
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浏览/下载:140/0
  |  
提交时间:2017/06/20
等离子体改性
亲水性
绝缘体上锗
Al/n-Ge接触
肖特基势垒
plasma modification
hydrophilicity
Germanium on Insulator
Al/n-Ge contact
Schottky barrier height
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET
期刊论文
2014
张茂添
;
刘冠洲
;
李成
;
王尘
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2016/05/17
Ge/SiGe异质结构
肖特基势垒
关态电流
迁移率
掺杂
Ge /SiGe heterosturcture
Schottky barrier
off-state current
mobility
doping
金属氮化物与锗接触特性研究
学位论文
2014, 2014
吴焕达
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/01/12
锗
费米能级钉扎效应
肖特基势垒高度
氮化钛
氮化钨
Ge
Fermi-level pinning effect
Schottky barrier height
Titanium nitride
Tungsten nitride
Si基Ge PIN光电探测器的设计与制备
学位论文
2014, 2014
严光明
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2016/01/12
光电探测器
3-dB带宽
欧姆接触
制作工艺
Photodetector
3-dB cut-off frequency
Ohmic contact
Production techniques
Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析
学位论文
2014, 2014
张茂添
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/01/12
HfO2/Ge,肖特基势垒,掺杂浓度,开态电流,关态电流,迁移率
HfO2/Ge, Schottky barrier, doping concentration, on-state current, off-state current, mobility
Ohmic contact to n-type ge with compositional W nitride
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1109/LED.2014.2365186, 2014
Wu, Huan Da
;
Wang, Chen
;
Wei, Jiang Bin
;
Huang, Wei
;
Li, Cheng
;
Lai, Hong Kai
;
Li, Jun
;
Liu, Chunli
;
Chen, Song Yan
;
黄巍
;
李成
;
赖虹凯
;
李俊
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
Electric contactors
Fermi level
Germanium
Nitrides
Nitrogen
Ohmic contacts
Schottky barrier diodes
Ohmic contact to n-type Ge with compositional Ti nitride
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.08.028, 2013
Wu, H.D.
;
Huang, W.
;
Lu, W.F.
;
Tang, R.F.
;
Li, C.
;
Lai, H.K.
;
Chen, S.Y.
;
Xue, C.L.
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/07/22
Electric contactors
Ohmic contacts
Semiconductor metal boundaries
Titanium nitride
金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析
期刊论文
2013
严光明
;
李成
;
汤梦饶
;
黄诗浩
;
王尘
;
卢卫芳
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/05/17
金属与Ge接触性质
NiGe
比接触电阻率
metal/Ge contact
NiGe
specific contact resistance
NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究
学位论文
2013, 2013
汤梦饶
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/01/13
Ni(Si1-xGex)
NiGe
热稳定性
费米能级钉扎效应
势垒高度
Ni(Si1-xGex)
NiGe
Thermal stability
Fermi-level pinning effect
Schottky barrier height
Formation of nickel germanide on SiO2-capped n-Ge to lower its Schottky barrier height
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4852177, 2013
Lin, Guangyang
;
Tang, Mengrao
;
Li, Cheng
;
Huang, Shihao
;
Lu, Weifang
;
Wang, Chen
;
Yan, Guangming
;
Chen, Songyan
;
李成
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
SILICON-DIOXIDE
SIO2 LAYERS
ELECTROLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
DIFFUSION
DEFECTS
STATES
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