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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 An Effective Approach for Restraining Galvanic Corrosion of Polycrystalline Silicon by Hydrofluoric-Acid-Based Solutions 期刊论文 journal of microelectromechanical systems, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 470-475 Liu YF; Xie J; Zhang ML; Yang JL; Yang FH 收藏  |  浏览/下载：52/1  |  提交时间：2011/07/06 Galvanic corrosion  polysilicon  resistivity  titanium (Ti) redox sacrificial layer  POLYSILICON  OXIDATION   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   Nanocrystalline silicon films with high conductivity and the application for PIN solar cells 期刊论文 vacuum, 2006, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 126-128 Min C (Cui Min); Zhang WJ (Zhang Weija); Wang TM (Wang Tianmin); Jin F (Jin Fei); Li GH (Li Guohua); Ding K (Ding Kun) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 nc-Si : H  conductivity  PECVD  films  solar cells   Microstructure studies of PdGe/Ge ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing 期刊论文 applied surface science, 1996, 卷号: 100, 期号: 0, 页码: 530-533 Chen WD; Xie XL; Cui YD; Chen CH; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 GE   A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245 Ding SA; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 MICROSTRUCTURE