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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low specific contact resistivity to graphene achieved by AuGe/Ni/Au and annealing process 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 11 作者:  Yu, Shu-Zhen(于淑珍);  Song, Yan(宋焱);  Dong, Jian-Rong(董建荣);  Sun, Yu-Run(孙玉润);  Zhao, Yong-Ming(赵勇明) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 卷号: 28, 期号: 10 作者:  Zhang, BS(张宝顺);  Yang, H(杨辉);  Zhang, SM(张书明) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/01/13 Analysis on the new mechanisms of low resistance stacked Ti/Al Ohmic contact structure on AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 Journal of Physics D-Applied Physics, 2010, 期号: 39 作者:  Zhang BS (张宝顺);  Cai Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：162/49  |  提交时间：2010/12/30