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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method 期刊论文 中国物理B, 2017, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 068102 杨冠卿; 张世著; 徐波; 陈涌海; 王占国 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2017/05/23 量子点  光致荧光  反常温度效应  激活能   2-μm single longitudinal mode GaSb-based laterally coupled distributed feedback laser with regrowth-free shallow-etched gratings by interference lithography 期刊论文 Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 024204 Cheng-Ao Yang; Yu Zhang; Yong-Ping Liao; Jun-Liang Xing; Si-Hang Wei; Li-Chun Zhang; Ying-Qiang Xu; Hai-Qiao Ni; Zhi-Chuan Niu 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/16 Self-aligned current aperture in native oxidized AlInAs buried heterostructure InGaAsP/InP distributed feedback laser 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1492-1494 Wang ZJ; Chua SJ; Zhang ZY; Zhou F; Zhang JY; Wang XJ; Wang W; Zhu HL 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES   Ge related defect energy and microcavity effect in GaN epitaxial layer 期刊论文 chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 9, 页码: 674-676 Zhao YG; Cheng L; Huang XL; Zhang GY; Li J; Yang ZJ 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING-DIODES  YELLOW LUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 会议论文 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRICAL-PROPERTIES  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS   Buried heterostructure InGaAsP/InP strain-compensated multiple quantum well laser with a native-oxidized InAlAs current blocking layer 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 26, 页码: 3803-3805 Wang ZJ; Chua SJ; Zhou F; Wang W; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 SURFACE-EMITTING LASERS  ULTRALOW THRESHOLD  OXIDE  INP  DIODES  OXIDATION   REGROWTH OF MBE-GAAS FILMS ON SI SUBSTRATES BY HIGH-ENERGY ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING 期刊论文 chinese physics letters, 1989, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 451-454 XIAO GM; YIN SD; ZHANG JP; FAN TW; LIU JR; DING AJ; ZHOU JM; ZHU PR 收藏  |  浏览/下载：127/11  |  提交时间：2010/11/15