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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of InGaAlAs MQW buried heterostructure lasers by narrow stripe selective MOVPE 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 361-365 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/29 BANDGAP ENERGY CONTROL   Unselective regrowth buried heterostructure long-wavelength superluminescent diode realized with MOVPE 期刊论文 journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 176-178 Ding Y (Ding Ying); Zhou F (Zhou Fan); Chen WX (Chen Wei-xi); Wang W (Wang Wei) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 buried heterostructure (BH)   Narrow stripe selective growth of InGaAlAs waveguides used for buried heterostructure lasers - art. no. 63210I 会议论文 conference on nanophotonic materials iii, san diego, ca, aug 13-14, 2006 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：154/17  |  提交时间：2010/03/29 InP   Unselective regrowth of 1.5-mu m InGaAsP multiple-quantum-well distributed-feedback buried heterostructure lasers 期刊论文 optical engineering, 2006, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: art.no.090501 Feng W (Feng W.); Ding Y (Ding Y.); Pan JQ (Pan J. Q.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 buried heterostructure  regrowth  multiple quantum well  distributed feed back  laser  HIGH-TEMPERATURE  OPERATION  10-GB/S   A Broadband Long-Wavelength Superluminescent Diode Based on Graded Composition Bulk InGaAs 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2309-2314 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 High performance of 1.55 mu m DFB integrated with vertically tapered self-aligned spot-size converter 期刊论文 optical and quantum electronics, 2003, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 765-771 Qiu W; Dong J; Wang W; Zhou F; Zhang J; Wang L 收藏  |  浏览/下载：389/5  |  提交时间：2010/08/12 butt-joint  DFB  self-alignment  selective area growth  spotsize converter  COUPLING EFFICIENCY  WAVE-GUIDE  1.3-MU-M   PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM STUDY OF THE GAAS/SI EPILAYER GROWN BY USING A THIN AMORPHOUS SI FILM AS BUFFER LAYER 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 7b, 页码: l900-l902 HAO MS; LIANG JW; ZHENG LX; DENG LS; XIAO ZB; HU XW 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS/SI  PHOTOLUMINESCENCE  AMORPHOUS SI  SIMS  HALL MEASUREMENT  DOUBLE CRYSTAL X-RAY  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ON-SI  MOCVD  TEMPERATURE  MECHANISM