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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：131/30  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  P-TYPE ZNO  POINT-DEFECTS  II-VI  NITROGEN  SEMICONDUCTORS  1ST-PRINCIPLES  COMPENSATION  ENHANCEMENT   Preferred growth of nanocrystalline silicon in boron-doped nc-Si : H Films 期刊论文 vacuum, 2004, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 69-75 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K 收藏  |  浏览/下载：181/44  |  提交时间：2010/03/09 hydrogenated nanocrystalline silicon film   Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field 期刊论文 international journal of heat and mass transfer, 2002, 卷号: 45, 期号: 13, 页码: 2843-2851 Li MW; Hu WR; Chen NH; Zeng DL; Tang ZM 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 liquid encapsulant Czochralski (LEC)  growth of GaAs  magnetic field finite-element method  boron oxide  CRYSTAL-GROWTH  HEAT-TRANSFER  CONVECTION  FLOW  SIMULATION  MODEL