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科研机构
半导体研究所 [15]
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期刊论文 [14]
会议论文 [1]
发表日期
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Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6
作者:
Li Hui
;
Zhou Kai
;
Pang Jingbiao
;
Shao Yundong
;
Wang Zhu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
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  |  
浏览/下载:52/10
  |  
提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: art. no. 151904
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:185/32
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提交时间:2010/05/04
alloying
annealing
electrical conductivity
excitons
II-VI semiconductors
magnesium compounds
MOCVD coatings
photoluminescence
positron annihilation
semiconductor thin films
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
zinc compounds
SEMICONDUCTORS
EMISSION
ORIGIN
DIODES
Evolution of structural defects in SiOx films fabricated by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition upon annealing treatment
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1034-1037
Hao, XP
;
Wang, BY
;
Yu, RS
;
Wei, L
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Hao, WC
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浏览/下载:70/2
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提交时间:2010/03/08
SILICON-OXIDE FILMS
POSITRON-ANNIHILATION
POROUS SILICON
THIN-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
BEAM
Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed inp
期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 4
作者:
Zhao, Youwen
;
Dong, Zhiyuan
;
Miao, Shanshan
;
Deng, Aihong
;
Yang, Jun
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123519
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Miao, SS (Miao, Shanshan)
;
Deng, AH (Deng, Aihong)
;
Yang, J (Yang, Jun)
;
Wang, B (Wang, Bo)
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/29
DOPED SEMIINSULATING INP
Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped gasb
期刊论文
Physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290
作者:
Hu, WG
;
Wang, Z
;
Su, BF
;
Dai, YQ
;
Wang, SJ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Gasb
Coincidence doppler broadening
Positron annihilation
Defect
Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements
会议论文
13th international conference on positron annihilation (icpa-13), kyoto, japan, sep 07-12, 2003
Hu WG
;
Wang Z
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
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浏览/下载:25/1
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提交时间:2010/10/29
coincidence Doppler broadening
defects
GaSb
positron annihilation
Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements
期刊论文
positron annihilation, 2004, 卷号: icpa-13 proceedings, 期号: 445-6, 页码: 114-116
Hu, WG
;
Wang, Z
;
Dai, YQ
;
Wang, SJ
;
Zhao, YW
收藏
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浏览/下载:129/19
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提交时间:2010/03/09
coincidence Doppler broadening
defects
GaSb
positron annihilation
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