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高能物理研究所 [7]
宁波材料技术与工程研... [2]
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期刊论文 [9]
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2018 [2]
2014 [1]
2013 [1]
2010 [3]
2008 [1]
2002 [1]
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学科主题
Physics [9]
Materials ... [2]
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In Situ High-Pressure X-ray Diffraction and Raman Spectroscopy Study of Ti3C2Tx MXene
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018, 卷号: 13
作者:
Song, Kaixin
;
Zhang, Luxi
;
Su, Weitao
;
Huang, Yanwei
;
Li, He
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2018/12/04
Transition-metal Carbides
Graphite Oxide
Monolayer Mos2
Ion Batteries
Photoluminescence
Surface
Oh
1st-principles
Performance
Insertion
In Situ High-Pressure X-ray Diffraction and Raman Spectroscopy Study of Ti3C2Tx MXene
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018, 卷号: 13
作者:
Yu, Jinhong
;
Zhang, Luxi
;
Su, Weitao
;
Huang, Yanwei
;
Li, He
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2018/12/04
Transition-metal Carbides
Graphite Oxide
Monolayer Mos2
Ion Batteries
Photoluminescence
Surface
Oh
1st-principles
Performance
Insertion
Neutron-irradiation-induced near-infrared emission in alpha-Al2O3
期刊论文
PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS, 2014, 卷号: 94, 期号: 4, 页码: 211-216
作者:
Rahman, AZMS
;
Cao XZ(曹兴忠)
;
Wei L(魏龙)
;
Wang BY(王宝义)
;
Cao, XZ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2016/04/08
near-infrared spectroscopy
dislocations
neutron-irradiation
alumina
lattice defects
Pressure-induced structural evolution and amorphization in Eu3Ga5O12
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 114, 期号: 16, 页码: 163521
作者:
Lin CL(林传龙)
;
Li YC(李延春)
;
Li XD(李晓东)
;
Lin, CL
;
Li, YC
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/04/08
The influence of indium surfactant on the electrical properties of GaN epilayers grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 43, 期号: 14, 页码: 145402
作者:
Song, J
;
Xu, FJ
;
Miao, ZL
;
Huang, S
;
Wang, Y
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/06/29
Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528
作者:
Xu, FJ
;
Shen, B
;
Lu, L
;
Miao, ZL
;
Song, J
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/06/29
gallium compounds
III-V semiconductors
MOCVD
photoluminescence
positron annihilation
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: 151904
作者:
Yang, AL
;
Song, HP
;
Liang, DC
;
Wei, HY
;
Liu, XL
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2016/06/29
alloying
annealing
electrical conductivity
excitons
II-VI semiconductors
magnesium compounds
MOCVD coatings
photoluminescence
positron annihilation
semiconductor thin films
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Evolution of structural defects in SiOx films fabricated by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition upon annealing treatment
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1034-1037
作者:
Hao XP(郝小鹏)
;
Wang BY(王宝义)
;
Yu RS(于润升)
;
Wei L(魏龙)
;
Hao, XP
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2016/06/29
Local structure and luminescence of nanocrystalline Y2O3 : Eu
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 81, 期号: 15, 页码: 2857-2859
作者:
Qi, ZM
;
Shi, CS
;
Zhang, WW
;
Zhang, WP
;
Hu, TD
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/06/29
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