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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Non-stoichiometry Related Deep Level Defects in Semi-insulating InP 期刊论文 人工晶体学报, 2004, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 535-538 Zhao Youwen; Dong Zhiyuan; Duan Manlong; Sun Wenrong; Yang Zixiang; Lu Xuru; Wang Yingli 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE   EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON 期刊论文 applied surface science, 1993, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 259-263 WONG YW; YANG XQ; CHAN PW; TONG KY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 REACTIVE ATMOSPHERE  BORON  IRRADIATION  SEMICONDUCTORS  JUNCTIONS