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新疆理化技术研究所 [14]
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期刊论文 [10]
学位论文 [4]
发表日期
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2018 [3]
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2016 [1]
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Degradation characteristics of electron and proton irradiated InGaAsP/InGaAs dual junction solar cell
期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 1-7
作者:
Zhao, XF (Zhao, X. F.)[ 1 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1,2 ]
;
Heini, M (Heini, M.)[ 1,3 ]
;
Tan, M (Tan, M.)[ 4 ]
;
Wu, YY (Wu, Y. Y.)[ 4 ]
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2020/04/21
InGaAsP/InGaAs solar cell
Electron and proton irradiation
Degradation
Equivalent displacement damage dose model
A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 540-550
作者:
Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2020/07/06
Charge coupled devices (CCDs)
proton irradiation
neutron irradiation
hot pixels
displacement damage effects
Optoelectronic Performance Analysis of Low-Energy Proton Irradiation and Post-Thermal Annealing Effects on InGaAs Solar Cell
期刊论文
FRONTIERS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 1-7
作者:
Zhuang, Y (Zhuang, Y.)[ 1 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1 ]
;
Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 2,3 ]
;
Fang, L (Fang, L.)[ 4 ]
;
Shen, XB (Shen, X. B.)[ 2,3 ]
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2021/01/05
InGaAs solar cell
proton irradiation
displacement damage
degradation
annealing
Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 1-4
作者:
Zhang, X (Zhang, Xiang)
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
;
Feng, J (Feng, Jie)
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2018/08/14
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
作者:
Ma, T (Ma, Teng)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2018/03/14
Reliability
Proton Irradiation
Radiation Induced Leakage Current (Rilc)
Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)
Total Ionizing Does (Tid)
Effects of proton irradiation on upright metamorphic GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cells
期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 185, 期号: 10, 页码: 36-44
作者:
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1 ]
;
Fang, L (Fang, L.)[ 2 ]
;
Heini, M (Heini, M.)[ 1 ]
;
Zhang, QM (Zhang, Q. M.)[ 2 ]
;
Li, ZH (Li, Z. H.)[ 1,3 ]
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/08/07
Upright Metamorphic
Solar Cell
Proton Irradiation
Degradation
Srim
Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 1-5
作者:
Ma, LD (Ma, Lindong)
;
Li, YD (Li, Yudong)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/01/08
Complementary Metal-oxide-semiconductor (Cmos) Active Pixel Sensor
Dark Current
Fixed-pattern Noise
Quantum Efficiency
Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 卷号: 139, 期号: 10, 页码: 11-16
作者:
Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ]
;
Guo, Q (Guo Qi)[ 1 ]
;
Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ]
;
He, CF (He Cheng-Fa)[ 1 ]
;
Shi, WL (Shi Wei-Lei)[ 1 ]
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/07/10
Displacement damage
NIEL
P-i-n photodiode
Damage enhancement factor
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
汪波
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浏览/下载:193/0
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提交时间:2016/09/27
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
文林
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2015/06/15
电荷耦合器件
电离总剂量效应
位移效应
损伤机理
敏感参数
基本单元
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