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Enhanced optical properties of zns-zno (nanocomposite) quantum dots prepared by a cost-effective method for optolectronic devices 专利
专利号: IN201741004351A, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2018-08-10
作者:  DR.G.JANITA CHRISTOBEL,;  DR.C.K. MAHADEVAN
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Group III nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating group III nitride semiconductor light emitting device 专利
专利号: US8872156, 申请日期: 2014-10-28, 公开日期: 2014-10-28
作者:  YONEMURA, TAKUMI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI
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High brightness illumination system and wavelength conversion module for microscopy and other applications 专利
专利号: US20130314893A1, 申请日期: 2013-11-28, 公开日期: 2013-11-28
作者:  PAQUETTE, MICHEL
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Optical apertures for reducing spontaneous emissions in photodiodes 专利
专利号: US7418021, 申请日期: 2008-08-26, 公开日期: 2008-08-26
作者:  GUENTER, JAMES K.;  TATUM, JIMMY A.;  BIARD, JAMES R.
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Mirrors for reducing the effects of spontaneous emissions in photodiodes 专利
专利号: US7184455, 申请日期: 2007-02-27, 公开日期: 2007-02-27
作者:  GUENTER, JAMES K.;  TATUM, JIMMY A.;  BIARD, JAMES R.
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Absorbing layers for reduced spontaneous emission effects in an integrated photodiode 专利
专利号: WO2006074011A3, 申请日期: 2006-07-13, 公开日期: 2006-07-13
作者:  GUENTER, JAMES, K.;  TATUM, JIMMY, A.;  BIARD, JAMES, R.
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LOW TEMPERATURE GROWN LAYERS WITH MIGRATION ENHANCED EPITAXY ADJACENT TO AN InGaAsN(Sb) BASED ACTIVE REGION 专利
专利号: WO2006026610A3, 申请日期: 2006-07-06, 公开日期: 2006-07-06
作者:  JOHNSON RALPH
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Optimizing mirror reflectivity for reducing spontaneous emissions in photodiodes 专利
专利号: US20050286595A1, 申请日期: 2005-12-29, 公开日期: 2005-12-29
作者:  GUENTER, JAMES K.;  TATUM, JIMMY A.;  BIARD, JAMES R.
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Geometric optimizations for reducing spontaneous emissions in photodiodes 专利
专利号: US20050286586A1, 申请日期: 2005-12-29, 公开日期: 2005-12-29
作者:  GUENTER, JAMES K.;  TATUM, JIMMY A.;  BIARD, JAMES R.
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Photodiode bandgaps for reducing spontaneous emissions in photodiodes 专利
专利号: US20050286585A1, 申请日期: 2005-12-29, 公开日期: 2005-12-29
作者:  GUENTER, JAMES K.;  TATUM, JIMMY A.;  BIARD, JAMES R.
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