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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers 期刊论文 solid-state electronics, 2010, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 4-7 Chen J; Wang X; Wu AM; Zhang B; Wang X; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/04 FABRICATION  SILICON  MEMS  NITRIDE   Fabry-Perot microcavity modes observed in the micro-photoluminescence spectra of the single nanowire with InGaAs/GaAs heterostructure 期刊论文 optics express, 2009, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 9337-9346 作者:  Chen P;  Zhang L 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/08 BUILDING-BLOCKS  WAVE-GUIDES  GAAS  TEMPERATURE  WAVELENGTH  LASERS  INP   Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single InGaAs/GaAs quantum well 期刊论文 nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: art. no. 275304 Yang, L; Motohisa, J; Tomioka, K; Takeda, J; Fukui, T; Geng, MM; Jia, LX; Zhang, L; Liu, YL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 INTERNAL ELECTRIC-FIELDS  OPTICAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH  BUILDING-BLOCKS  (111)B SURFACES  NANOWIRES  INTENSITY  DEVICES  GAAS