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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   Sub-nanosecond silicon-on-insulator optical micro-ring switch with low crosstalk 期刊论文 chinese optics letters, 2010, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 757-760 Xiao X (Xiao Xi); Xu HH (Xu Haihua); Zhou LA (Zhou Liang); Li ZY (Li Zhiyong); Li YT (Li Yuntao); Yu YD (Yu Yude); Yu JZ (Yu Jinzhong) 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/09/07 ELECTROOPTIC SWITCH  NETWORKS  INTERCONNECTION  RESONATORS  MODULATORS   Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：51/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers 期刊论文 physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891 Jiang, DS (Jiang, De-Sheng); Zhao, DG (Zhao, De-Gang); Yang, H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE