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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy 会议论文 10th international conference on defects - recognition, imaging and physics in semiconductors (drip 10), batz sur mer, france, sep 29-oct 02, 2003 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 SHORT-PERIOD SUPERLATTICES  RAMAN-SCATTERING  QUANTUM-WELLS  GROWTH  ROUGHNESS  SEGREGATION  ALAS/GAAS  ALAS  GAAS   Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2010/08/12 substrates  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  INTERMEDIATE LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SAPPHIRE  FILM   Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 Wang HM; Zeng YP; Zhou HW; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HALL ELEMENTS  GAAS  MISORIENTATION  DISTORTION  LAYERS  MBE  SI  HETEROSTRUCTURES  GROWTH   A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401 Wu ZL; Huang DD; Yang XZ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY PHOTOELECTRON  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SPECTROSCOPY  SURFACES  SI(111)  OXIDES  LAYERS  SI