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半导体研究所 [113]
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学科主题
半导体材料 [113]
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学科主题:半导体材料
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High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure
期刊论文
adv mater, 2016, 卷号: 28, 期号: 36, 页码: 7978-7983
Xin Rong
;
Xinqiang Wang
;
Sergey V. Ivanov
;
Xinhe Jiang
;
Guang Chen
;
Ping Wang
;
Weiying Wang
;
Chenguang He
;
Tao Wang
;
Tobias Schulz
;
Martin Albrecht
;
Valentin N. Jmerik
;
Alexey A. Toropov
;
Viacheslav V. Ratnikov
;
Vladimir I. Kozlovsky
;
Victor P. Martovitsky
;
Peng Jin
;
Fujun Xu
;
Xuelin Yang
;
Zhixin Qin
;
Weikun Ge
;
Junjie Shi
;
and Bo Shen
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2017/03/10
Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Optical properties of InAsSb nanostructures embedded in InGaAsSb strain reducing layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 869-873
作者:
Zhou XL
;
Li TF
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浏览/下载:31/1
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM DOTS
LIGHT-EMISSION
WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Guo Y (Guo Yan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Song HP (Song Hua-Ping)
;
Yang AL (Yang An-Li)
;
Zheng GL (Zheng Gao-Lin)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:204/46
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提交时间:2010/07/05
GE
GAAS
GROWTH
二次退火制备I I I-V族半导体量子点
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750
作者:
金鹏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2011/08/16
多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响
期刊论文
激光技术, 2010, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 766-769
作者:
梁德春
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响
期刊论文
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1805-1808
作者:
梁德春
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/08/16
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
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浏览/下载:32/4
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提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
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