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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2011 [2]
2006 [1]
2002 [2]
2001 [4]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题：半导体材料
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Hot electron injection: An efficacious approach to charge LaCoO3forimproving the water splitting efficiency
期刊论文
Applied Catalysis B: Environmental, 2017, 卷号: 219, 页码: 432–438
作者:
Bo-Tao Zhang
;
Jun Liu
;
Shizhong Yue
;
Yanguo Teng
;
Zhijie Wang
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浏览/下载：32/0
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提交时间：2018/05/30
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
收藏
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浏览/下载：93/5
|
提交时间：2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202
作者:
Jin P
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浏览/下载：43/4
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提交时间：2011/07/15
LIGHT-EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
TUNING RANGE
NM
EMISSION
SPECTRUM
SPECTROSCOPY
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载：76/0
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提交时间：2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308
作者:
Xu B
;
Li CM
;
Jin P
;
Ye XL
;
Li DB
收藏
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浏览/下载：97/0
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提交时间：2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THRESHOLD CURRENT
MU-M
LASERS
Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358
作者:
Xu B
;
Jiang DS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载：84/7
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提交时间：2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
laser diodes
1.3 MU-M
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
1.3-MU-M
PHOTOLUMINESCENCE
GAIN
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载：143/9
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提交时间：2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
laser diodes
WELL LASERS
Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Yang H
;
Liang JW
;
Han JY
收藏
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浏览/下载：93/4
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提交时间：2010/08/12
cubic GaN
X-ray double crystal diffraction
structural characteristics
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EPITAXIAL-GROWTH
HEXAGONAL GAN
LASER-DIODES
THIN-FILMS
MBE
Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Miao ZH
收藏
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浏览/下载：93/3
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提交时间：2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
optical microscopy
molecular beam epitaxy
nanomaterials
semiconducting III-V materials
laser diodes
TEMPERATURE-DEPENDENCE
M PHOTOLUMINESCENCE
INGAAS OVERGROWTH
GAAS
DOTS
EMISSION
ENERGY
LASER
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2010/11/15
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
laser diodes
WELL LASERS
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