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科研机构
上海微系统与信息技... [12]
上海硅酸盐研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2018 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2007 [3]
2006 [1]
2005 [1]
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Physics, ... [13]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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Progresses of magnetoelectric composite films based on PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3 single-crystal substrates
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 15
作者:
Xu Meng
;
Yan Jian-Min
;
Xu Zhi-Xue
;
Guo Lei
;
Zheng Ren-Kui
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2018/12/28
magnetoelectric composite films
multiferroics
lattice strain effect
interfacial charge effect
Composite-Collector InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistors with Current-Gain Cutoff Frequency of 242 GHz
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 38502-38502
Cheng, W
;
Jin, Z
;
Su, YB
;
Liu, XY
;
Xu, AH
;
Qi, M
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  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2012/03/24
HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE
DHBT TECHNOLOGY
F(MAX)
High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2683-2685
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
;
Qi, M
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2012/03/24
Properties of strain compensated symmetrical triangular quantum wells composed of InGaAs/InAs chirped superlattice grown using gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 726-729
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/24
2.1 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASERS
PHOTOLUMINESCENCE
WAVELENGTH
HETEROSTRUCTURE
Tunable diode laser absorption spectroscopy detection of N2O at 2.1 mu m using antimonide laser and InGaAs photodiode
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 2301-2303
Zhang, YG(张永刚)
;
Zhang, XJ
;
Zhu, XR
;
Li, AZ
;
Liu, S
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  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/03/24
QUANTUM CASCADE LASERS
TRACE GAS-DETECTION
SEMICONDUCTOR-LASERS
MQW LASERS
TUNABILITY
An innovative gas sensor with on-chip reference using monolithic twin laser
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 2839-2841
Zhang, YG(张永刚)
;
Tian, ZB
;
Zhang, XJ
;
Gu, Y
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Zheng, YL
;
Liu, S
收藏
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浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2012/03/24
QUANTUM CASCADE LASERS
2.1 MU-M
DIODE-LASERS
SEMICONDUCTOR-LASERS
MQW LASERS
ANTIMONIDE
TUNABILITY
Strain compensated AlInGaAs/InGaAs/InAs triangular quantum wells for lasing wavelength beyond 2 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 11, 页码: 3237-3240
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Liu, S
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
DIODE-LASERS
Continuous wave performance and tunability of MBE grown 2.1 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb MQW lasers
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2262-2265
Zhang, YG(张永刚)
;
Zheng, YL
;
Lin, C
;
Li, AZ
;
Liu, S
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
DIODE-LASERS
ANTIMONIDE
OPERATION
Study on infrared absorption of interfaces in direct wafer bonded InP-GaAs structures
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4334-4339
Lao, YF
;
Wu, HZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
SEMICONDUCTOR-LASERS
TECHNOLOGY
CHEMISTRY
PHYSICS
Influence of deep levels on the performance of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 3, 页码: 556-560
Zhang, XH
;
Hu, YS
;
Wu, J
;
Cheng, ZQ
;
Xia, GQ
;
Xu, YS
;
Chen, ZH
;
Gui, YS
;
Chu, JH
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPACE-CHARGE-REGION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE-EPITAXY
INGAALP ALLOYS
LASER-DIODES
RECOMBINATION
EFFICIENCY
PHOTOLUMINESCENCE
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