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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：47/3  |  提交时间：2011/07/05 UV ELECTROLUMINESCENCE  THIN-FILMS  ZNO   Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   Cluster scattering in two-dimensional electron gas investigated by Born approximation and partial-wave methods 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 543-546 Li ZW; Xu XQ; Wang J; Liu JM; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：67/8  |  提交时间：2011/07/05 IONIZED-IMPURITY-SCATTERING  COMPOSITIONAL INHOMOGENEITY  PHASE-SEPARATION  QUANTUM-WELLS  ALLOY  CATHODOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT  MOBILITY   Energy band alignment of SiO2/ZnO interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 4, 页码: art. no. 043709 作者:  Zhang XW;  Yin ZG;  Song HP;  You JB 收藏  |  浏览/下载：80/3  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES  ZNO  ELECTROLUMINESCENCE  OFFSETS   MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOCVD  GaN  InGaN  cubic  LED  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  INGAN FILMS  ELECTROLUMINESCENCE  ZINCBLENDE  WURTZITE  MBE   Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses 会议论文 conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Chen BW; Yu JZ; Wang QM; Xie DT; Wu JG; Xu DF; Xu GX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 Er-doped silica glass  sol-gel process  photoluminescence  PLANAR WAVE-GUIDES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRYSTAL SILICON  IMPLANTED SI  LUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE  FABRICATION  IMPURITIES  FILMS  IONS