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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Electroluminescence afterglow from indium tin oxide/Si-rich SiO2/p-Si structure 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1306-1309 Wang XX; Zhang JG; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 SILICON NANOCRYSTALS  SI  PHOTOLUMINESCENCE  EVOLUTION   Raman study of low-temperature-grown Al0.29Ga0.71As/GaAs photorefractive materials 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: art.no.125325 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：76/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALXGA1-XAS ALLOYS  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE   Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115324 Zhang MH; Guo LW; Li HW; Li W; Huang Q; Bao CL; Zhou JM; Liu BL; Xu ZY; Zhang YH; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 BEAM-EPITAXIAL GAAS  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Ultrafast low-temperature grown AlGaAs/GaAs photorefractive quantum wells using point defects as capture centers 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 10, 页码: 1366-1368 Zhang MH; Huang Q; Zhang YF; Zhou JM; Li Q; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  LAYERS  DEPENDENCE  LIFETIME