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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved carrier confinement and stimulated recombination rate in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with buried p-AlGaN inversion layer 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 卷号: 146 作者:  Cui, Mei;  Gao, Yuanbin;  Hang, Sheng;  Qiu, Xuejiao;  Zhang, Yonghui 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/12/16 EFFICIENCY  TRANSPORT  MECHANISM  VCSELS   Transmission gaps from corrugations 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 29, 页码: 295103 作者:  Wang, YL;  Liang, GH;  Jiang, H;  Lu, WT;  Zong, HS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/08 transmission gap  RESONANT-TUNNELING STRUCTURES  curvature-tunable filter  QUANTUM-MECHANICS  geometric potential  GRAPHENE SUPERLATTICES  thin-layer quantization scheme  MAGNETIC SUPERLATTICES  NOISE CHARACTERISTICS  ELECTRONIC STATES  THIN-FILMS  BARRIER  SYSTEMS  SURFACE   Ni-Al-O diffusion barrier layer for high-kappa metal-oxide-semiconductor capacitor 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: 10, 页码: 3358-3362 作者:  Wu D. Q.;  Jia R.;  Yao J. C.;  Zhao H. S.;  Chang A. M. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/11/07 High-kappa gate dielectrics  Leakage current density  Er(2)O(3)  Ni-Al-O  Diffusion barrier layer   Microstructures and strain relaxation in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2004, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 989-998 作者:  Tan, WS;  Shen, B;  Sha, H;  Cai, HL;  Wu, XS 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/06/29 high resolution X-ray diffraction  metal organic chemical vapor deposition  reciprocal space mapping  semiconducting III-V nitride  strain relaxation  relaxation line model   Study of double barrier superlattice by synchrotron radiation and double-crystal x-ray diffraction 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1147-1149 作者:  Zhuang, Y;  Wang, YT;  Jiang, DS;  Yang, XP;  Jiang, XM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/29