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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文 journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation  SILICON-CARBIDE NANOWIRES  FIELD-EMISSION PROPERTIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS NANOWIRES  GROWTH  NANOTUBES  NITRIDE  DIFFUSION  NANORODS  ENERGY   First principles study of the electronic properties of twinned sic nanowires 期刊论文 Journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191 作者:  Wang, Zhiguo;  Wang, Shengjie;  Zhang, Chunlai;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Twinned sic nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation   在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥 期刊论文 物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4329-4333 刘仕锋; 秦国刚; 尤力平; 张纪才; 傅竹西; 戴伦 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 Comprehensive analysis of microtwins in the 3c-sic films on si(001) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Chemical vapor deposition processes  Silicon carbide   Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：98/10  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  chemical vapor deposition processes  silicon carbide  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  GAN  SI  DEFECTS  EPITAXY  LAYERS  MBE