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制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102299093A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
魏星; 仰庶; 曹共柏; 张峰; 王曦

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多层堆叠电阻转换存储器的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263041A, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
张挺; 马小波; 宋志棠; 刘旭焱; 刘波; 封松林

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一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254795A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
程新红; 张有为; 徐大伟; 王中健; 夏超; 俞跃辉

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石墨烯纳米带的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243990A, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16
程新红; 张有为; 徐大伟; 王中健; 夏超; 俞跃辉

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一种基于核酸横向流试纸条检测单核苷酸多态性的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102134596A, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27
毛红菊; 邹能利; 金庆辉; 赵建龙

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采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130037A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
魏星; 王中党; 叶斐; 曹共柏; 林成鲁; 张苗; 王曦

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采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130038A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
魏星; 曹共柏; 张峰; 王曦

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三维电阻转换存储芯片制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122636A, 申请日期: 2011-07-13, 公开日期: 2011-07-13
刘旭焱; 张挺; 刘卫丽; 宋志棠; 杜小峰; 顾怡峰; 成岩

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